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MDD二极管伏安特性有哪些?

发布时间:2020-11-17 14:29:48

    MDD二极管伏安特性有哪些?在电子电路中起到哪些作用?


    图示常用硅二极管的伏安特性,它实际表示的是加在二极管两端的电压和流过二极管的电流间关系。当电压在零值附近时,电流为零。

 

    当电压为VF正向电压0.5V左右时,电流开始出现(通常将这个正向0.5V电压称为起始电压),电压再增大时,IF电流明显增大。

    

    起始电压(硅:0.6V,锗:0.2V)    当在二极管加上VR反向电压,IR反向电流随VR反向电压增大而略微增加或不增加,当VR反向电压增大到一定值时,IR反向电流突然剧增,此时的PN结击穿,不具有单向导电

性能,这个电压称为反向击穿电压BV。


    注:二极管所规范的电性能参数是保证它的伏安(曲线)特性。